更新時間：2025-09-02
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廠商性質：生產(chǎn)廠家
生產(chǎn)地址：德國
Si-PIN 和 InGaAs-PIN 光電二極管
波長范圍從 320 到 1700 nm
從 10 kHz 到 2 GHz 的超寬帶寬
zui大限度。轉換增益 4.75 x 10 3 V/W
MIN.NEP 11 pW / √Hz
通過將xian進的光電二極管與經(jīng)過驗證的出色 FEMTO GHz 放大器技術相結合，我們設計了具有zhuo越性能的新型光接收器系列。HSPR-X 和 HSA-XS 的帶寬上限為 2 GHz。具有快速 Si-PIN 或 InGaAs-PIN 光電二極管的兩種型號分別覆蓋 320 至 1000 nm 和 900 至 1700 nm 的光譜范圍。由于復雜的放大器設計，zui小 NEP 僅為 11 pW/√Hz，跨阻抗為 5 x 10 3 V/A。這允許以 GHz 速度測量 µW 范圍內的光功率電平。
自由空間輸入設計為帶螺紋耦合環(huán) (FST) 的 1.035"-40 螺紋法蘭或不帶螺紋 (FS) 的 25 mm 圓形法蘭。這兩種類型均可與來自不同制造商的光學配件廣泛兼容，例如透鏡、管、籠式系統(tǒng)、光學適配器等
。只需擰上 PRA 系列的光纖適配器，即可輕松地將 FST 自由空間輸入轉換為光纖連接（FC、FSMA）。
相對大面積的探測器有助于在自由空間應用中進行光學聚焦，并在使用可選的光纖適配器時確保高度穩(wěn)定的耦合。對于探測器面積小于 ? 0.4 mm 的型號，建議僅在有限范圍內使用光纖適配器，因為可能會發(fā)生耦合損耗和不穩(wěn)定。如果重點是高精度光纖測量，則使用具有固定光纖輸入的 FC 模型通常會獲得更好的結果。
光譜學
快速脈沖和瞬態(tài)測量
光觸發(fā)
用于示波器和 A/D 轉換器的光學前端（O/E 轉換器）
FEMTO超快速光接收器HSA-X和HSPR-X系列選型參數(shù)
| 楷模 | HSA-XS-1G4-SI-FST HSA-XS-1G4-SI-FS HSA-XS-1G4-SI-FC | HSPR-XI-1G4-SI-FST HSPR-XI-1G4-SI-FS HSPR-XI-1G4-SI-FC | HSA-XS-2G-IN-FST HSA-XS-2G-IN-FS HSA-XS-2G-IN-FC | HSPR-XI-2G-IN-FST HSPR-XI-2G-IN-FS HSPR-XI-2G-IN-FC |
| 輸出 | 同相 | 反相 | 同相 | 反相 |
| 光電二極管 | ? 0.4 mm Si-PIN | ? 0.4 mm Si-PIN | ? 0.1 mm InGaAs-PIN | ? 0.1 mm InGaAs-PIN |
| 光譜范圍 | 320 – 1000 納米 | 320 – 1000 納米 | 900 – 1700 納米 | 900 – 1700 納米 |
| 帶寬 (?3 dB) | 10 kHz – 1.4 GHz | 10 kHz – 1.4 GHz | 10 kHz – 2 GHz | 10 kHz – 2 GHz |
上升/下降時間 (10 % - 90 %) | 250 皮秒 | 250 皮秒 | 180 皮秒 | 180 皮秒 |
| 跨阻增益 | 5×10 3 V/A | 5×10 3 V/A 反相 | 5×10 3 V/A | 5×10 3 V/A 反相 |
| 轉換增益 | 2.55×10 3 V/W （@ 760 納米） | 2.55×10 3 V/W （@ 760 納米） | 4.75×10 3 V/W （@ 1550 納米） | 4.75×10 3 V/W （@ 1550 納米） |
| NEP (@ 100 MHz) | 32 pW/√Hz （@ 760 納米） | 19 pW/√Hz （@ 760 納米） | 16 pW/√Hz （@ 1550 納米） | 11 pW/√Hz （@ 1550 納米） |
| 輸出駐波比 | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 |
| zui大輸出電壓@50Ω | 1.9V PP | 2.0 V PP | 1.9V PP | 2.0 V PP |
| 輸出噪聲 | 3.6 毫伏有效值 | 2.5 毫伏有效值 | 3.6 毫伏有效值 | 2.5 毫伏有效值 |
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